Samsung освоил выпуск чипов памяти UFS 2.0 объемом 256 ГБ 25.02.2016

Дата публикации: 25.02.2016
В недавно анонсированных флагманах Samsung вариация с объемом встроенной памяти на 256 ГБ отсутствовала, а потому такой рост внутреннего хранилища стоит ожидать только в смартфонах будущего поколения. По мнению представителей Samsung, новые флеш-накопители станут важным дополнением дисплеев с высоким разрешением, которые нуждаются в быстрой памяти в больших объемах. Также Samsung отмечает небольшие размеры чипов - они меньше и быстрее microSD-карт. «Samsung 256GB UFS 2.0 . Чипы памяти емкостью 256 ГБ для смартфонов и планшетов». Чипы памяти, произведенные по технологии Universal Flash Storage должны стать преемниками памяти eMMC, которая используется в смартфонах.

Таким образом, новые чипы будут гораздо быстрее предыдущих. Новые чипы, построенные по технологии 3D V-NAND, способны предложить скорость чтения до 850 Мбайт/с и скорость записи 260 Мбайт/с, тем самым значительно превосходя карты памяти microSD и SSD-накопители с интерфейсом SATA 3.0.

Источник: jooy.ru

Другие новости из раздела

Архив новостей